製品情報
絶縁放熱回路基板（AMB/DCB）
概要
絶縁放熱回路基板は、インバーター制御機器に組み込まれるパワー半導体から発生する熱を逃がすことで、高効率な安定動作に貢献する製品です。
役割
絶縁放熱回路基板はモータ駆動制御や発電機の電力変換制御を行うパワーモジュール用として使われます。
半導体素子への電気入力と、半導体素子で発生した熱を冷却器へ逃がす役割を担っています。
絶縁放熱回路基板はセラミック板を2枚の銅板で挟んだ構造になります。
パワーモジュールでは絶縁放熱回路基板の一方の銅板表面に半導体素子が搭載され、もう片方の銅板側には冷却器が接合されます。
半導体素子の発熱が大きくなるため、絶縁放熱回路基板には大きな温度変化に対する高い信頼性が求められます。
製品の特長
絶縁放熱回路基板は絶縁材料であるセラミックス板の両面に、銅板が接合された製品です。
セラミック材料として、窒化ケイ素系、アルミナ系をラインナップしており、それぞれ活性金属接合法（Active Metal Brazing：AMB）、直接接合法（Direct Copper Bonding：DCB）でセラミックス板と銅板が接合一体化され、銅の持つ高熱伝導性、高電気導電性と、セラミック基板の高絶縁性を兼ね備えてます。
弊社のAMBは数ミクロン以下の接合層を実現しており、接合層の熱抵抗の影響がほどんどありません。
また、DCBは銅板を直接アルミナ系セラミック基板に接合するため、熱抵抗となる接合層がありません。
製品の用途
Si-IGBT、SiC-MOSFETなどの各種パワー半導体素子が実装される、各種パワーモジュール
電気自動車用パワーモジュールユニット、新エネルギー（風力、太陽光発電など）、産業機器用インバーター
製品の仕様
窒化ケイ素系
| 接合方式 | AMB※1 |
|---|---|
| セラミックス |
■窒化ケイ素： 90W/m･K（開発中>100W/m･K） ■厚み：0.25mm、0.32mm |
| 抗折強度 | 700MPa |
| 銅板厚み | 0.3mm～0.8mm |
アルミナ系
| 接合方式 | DCB※2 | |
|---|---|---|
| セラミックス |
■ZDA（ジルコニア添加アルミナ）： 24～27W/m･K ■厚み：0.25mm~0.38mm |
■96%アルミナ： 24～25W/m･K ■厚み：0.25mm~0.635mm |
| 抗折強度 | 700～800MPa | 400～500MPa |
| 銅板厚み | 0.2mm～0.4mm | 0.2mm～0.4mm |
※1 AMB：活性金属接合法（Active Metal Brazing）
※2 DCB：直接接合法（Direct Copper Bonding)
- ※ここに記載の数値は保証値ではありません。
- ※ここに記載されていない仕様についてもお問い合わせください。対応を検討します。
製品ラインアップ
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